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SUP18N15-95
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
25
20
15
10
V GS = 10 thru 6 V
5V
20
15
10
T C = 125 °C
5
0
3V
4V
5
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
40
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.14
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
T C = - 55 °C
0.12
32
25 °C
0.10
V GS = 6 V
24
16
125 °C
0.08
0.06
V GS = 10 V
0.04
8
0.02
0
0.00
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
1500
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1200
16
V DS = 75 V
I D = 15 A
900
600
300
0
C rss
C oss
C iss
12
8
4
0
0
20
40
60
80
100
0
8
16
24
32
40
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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